• 新品 | 1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP™2 .xt模块

    大功率牵引和风力发电应用需要高鲁棒性，高可靠性和使用寿命长的功率器件。采用IGBT5和.XT技术的XHP™ 2模块可以满足这些要求。IGBT5 可实现更高的功率密度，而.XT互联技术则可通过提高温度循环和功率循环周次来延长使用寿命。

    넶6 2024-04-01

  • 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

    ​​​​​​​英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。

    넶4 2024-03-29

  • 英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度

    【 2023 年 11 月 29 日，德国慕尼黑讯】近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至 太阳能、 服务器、 储能、 电动汽车充电桩、 牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。

    넶4 2024-03-29

  • 以高度灵活性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块

    【 2023 年 8 月 4 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。新型模块专为满足 集中式太阳能逆变器以及 工业电机驱动和 不间断电源（UPS）的需求而开发。此外，它还广泛适用于 电动汽车充电桩、 储能系统（ESS）和其他新型工业应用。

    넶3 2024-03-29