【英飞凌新品】3300V,1200A IGBT4 IHV B模块
产品外观
知名的IHV B 3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进，采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管，是中高压变频器、牵引变流器和输电与配电设备等应用的最佳解决方案。
其最新推出的产品组合类型是经过优化的IGBT和二极管比率，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飞凌和竞争对手的1500A 3.3kV单开关。
它采用TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极可控EC4二极管，具有更强的功率循环能力，标准封装为IHV B 190x140mm²。
与前几代产品相比，客户可以轻松切换，同时节省成本。
拓扑结构
产品型号
FZ1200R33HE4D_B9
关键参数
产品特点
高短路能力
开关损耗低
高电流密度
高直流电压稳定性
沟槽栅IGBT4
6
VCEsat带正温度系数
7
低 Qg 和 Cre
8
低VCEsat
9
Tvj op max=150°C
应用价值
2xPC，可实现200%的使用寿命或在相同寿命下，实现110%的输出功率或8K温度余量
故障电流RBSOA高达3000A
性能与任何1500A 3.3kV相同
与190x140毫米模块1:1尺寸互换
在恶劣环境条件下的使用寿命为30年
竞争优势
与IGBT3 3.3kV竞争类型相比200%功率循环，可在大多数应用中实现200%的使用寿命，或在相同使用寿命内实现110%的输出功率，或在相同使用寿命内增加8K温度余量
新足以替代任何1500A 3.3kV型产品
比IGBT3便宜10%
应用领域
机车牵引
工业驱动器
输配电
CAV
来源：英飞凌工业半导体
以上产品均有货，欢迎垂询！
地址：武汉市东湖开发区武大科技园武大园路7号航域D8栋
创建时间：2025-02-19
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